|
Пластины монокристаллического кремния широко используются для нужд микроэлектроники и солнечной энергетики. На пластинах, как правило, формируется диодная структура солнечного элемента.
Спецификация. Пластины монокристаллического кремния. | # | Параметр | Ед.изм | Значение | | 1 | Метод выращивания
| | Чохральский | | 2 | Легирующий элемент
| | Бор | | 3 | Тип электропроводности
| | p | | 4 | Удельное сопротивление R
| Ом?см | 0.5-3.0 | | 5 | Диаметр | мм | 150.0±0.5 | | 6 | Ориентация | | (100)±20 | | 7 | Время жизни ННЗ | мкс | > 10
| | 8 | Плотность дислокаций
| | < 10
| | 9 | Концентрация кислорода
| атм/см3 | < 1?109 | | 10 | Концентрация углерода
| атм/см3 | < 1?1011 | | 11 | Длина слитка
| мм | 100-510 | | 12 | Диагональ | мм | 150.0±1.0 | | 13 | Размер | мм | 125.0?125.0±0.5 | | 14 | Симметрия W, X, Y, Z | мм | 20.3-21.9 | | 15 | Центр квадратирования
| мм | < 0.3
| | 16 | Прямоугольность и параллельность
| мм | < 0.5 | | 17 | Ориентация боковой грани
| | (010),(001) | | 18 | Толщина | микрон | 270±30 | | 19 | Предел измерения толщины
| микрон | < 30 | | 20 | Прогиб | микрон | < 50
| | 21 | Ориентация поверхности пластины
| | (100)±3 | | 22 | Видимый на поверхности нарушенный слой
| микрон | < 20
| | 23 | Видимый след среза
| микрон | < 5
| | 24 | Сломанные пластины
| недопустимо | | 25 | Качество края пластины
| Допускаются не более двух сколов не менее 1.0 мм, глубиной 0.3 мм. Трещины не допускаются. |
|
